-
ACS Material CVD硅基底石墨烯膜 2.5cmx2.5cm
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：ACS Material CVD硅基底石墨烯膜 2.5cmx2.5cm 英文名称：CVD Graphene on Si 2.5cmx2.5cm 性质 面积：2.5cmx2.5cm 层数：单层、双层、3-5层、6-8层 备注：氧化硅基底上测试拉曼 应用 NA
-
ACS Material 三维石墨烯泡沫 1cmx1cm
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：ACS Material 三维石墨烯泡沫 1cmx1cm 英文名称：3D Freestanding Graphene Foam 1cmx1cm 性质 规格：无支撑/在镍基底上 面积：1cmx1cm 泡沫厚度：~0.5mm 应用 NA
-
ACS Material PET基石墨烯薄膜 1cmx1cm
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：ACS Material PET基石墨烯薄膜 1cmx1cm 英文名称：Graphene on PET 1cmx1cm 性质 面积：1cmx1cm 层数：单层、双层、3-5层、6-8层 备注：氧化硅基底上测试拉曼 PET基底在烘干过程中接触到温度可能会有微微变形 应用 NA
-
ACS Material PET基石墨烯薄膜 2cmx2cm
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：ACS Material PET基石墨烯薄膜 2cmx2cm 英文名称：Graphene on PET 2cmx2cm 性质 面积：2cmx2cm 层数：单层、双层、3-5层、6-8层 备注：氧化硅基底上测试拉曼 应用 NA
-
ACS Material PET基石墨烯薄膜 5cmx5cm
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：ACS Material PET基石墨烯薄膜 5cmx5cm 英文名称：Graphene on PET 5cmx5cm 性质 面积： 5cmx5cm 层数：单层、双层、3-5层、6-8层 备注：氧化硅基底上测试拉曼 应用 NA
-
ACS Material PET基石墨烯薄膜 10cmx5cm
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
ACS MATERIAL公司推出PET基底石墨烯膜，规格是1cmx1cm，2cmx2cm，5cmx5cm，10cmx5cm，可提供单层、双层、3-5层、6-8层石墨烯膜 备注：氧化硅基底上测试拉曼。 Sheet Resistance: 95% Conditions for safe storage Keep the products in a dry and low oxygen (or oxygen-free) container at moderate temperature (
-
ACS Material 一步转移石墨烯薄膜 1cmx1cm
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：一步转移石墨烯薄膜 英文名称：Trivial Transfer Graphene™ 性质 面积：1cmx1cm 层数：单层、双层、3-5层、6-8层、10-15层 备注：氧化硅基底上测试拉曼 应用 NA 其他信息 保存条件：低温下保存（4℃冷藏），保质期21天。建议客户收货后15天内用完。 转移参考如下视频：
-
ACS Material 一步转移石墨烯薄膜 5cmx5cm
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：一步转移石墨烯薄膜 5cmx5cm 英文名称：Trivial Transfer Graphene™ 5cmx5cm 性质 面积：5cmx5cm 层数：单层、双层、3-5层、6-8层 备注：氧化硅基底上测试拉曼 应用 NA 其他信息 保存条件：低温下保存（4℃冷藏），保质期21天。建议客户收货后15天内用完。 转移参考如下视频：
-
-
热释放胶带
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: 热释放胶带 英文名称：Thermal release tape 性质 形态：浅绿色胶带 参数 总厚度：150±20 μm 长*宽：625 cmx16 cm 外观颜色：淡绿色 常温下粘着力：30-100 gm/25mm 建议热释放温度：120 ℃ 应用 可实现大面积的类石墨烯产品向柔性目标基体的转移，也可用于LCD 玻璃板面、LED 、MLCC、二极体、电感、半导体等晶片之固定、切割、剥离。 其他信息 热释放胶带是新型石墨烯及类石墨烯转移介质。其特点是常温下具有一定的粘合力,在特定温度以上,粘合力急剧下降甚至消失,表现出热释放特性。
-
CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼 英文名称：Single Layer MoS2 on SiO2/Si 性质 形态：薄膜 参数 基底：二氧化硅/硅 基底尺寸：8 mm*6 mm 氧化层：300nm 片径范围：20-50 μm 厚度：0.6～0.8 nm 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硫化钼，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
-
CVD蓝宝石基底单层二硫化钼
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD蓝宝石基底单层二硫化钼 英文名称：Single Layer MoS2 on sapphire substrate 性质 形态：薄膜 参数 基底：蓝宝石(默认单抛光) 基底尺寸：6 mm*8 mm 片径范围：20-50 μm 厚度：0.6～0.8 nm 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硫化钼，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
-
CVD氧化铝基底单层二硫化钼
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD氧化铝基底单层二硫化钼 英文名称：Single Layer MoS2 on Al2O3 性质 形态：薄膜 参数 基底：氧化铝 基底尺寸：6 mm*8 mm 片径范围：20-50 μm 厚度：0.6～0.8 nm 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硫化钼，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
-
CVD二氧化硅/硅基底单层二硫化钨
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钨 英文名称：Single Layer WS2 on SiO2/Si 性质 形态：薄膜 参数 基底：二氧化硅/硅 氧化层：300nm 基底尺寸：9 mmx9 mm WS2片径大小：20-50 µm 厚度：0.6～0.8 nm 应用 该类材料缺陷少，光学性质优良，层数可控，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料。 其他信息 订购请发邮件至：sale@xfnano.com
-
CVD蓝宝石基底单层二硫化钨
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD蓝宝石基底单层二硫化钨 英文名称：Single Layer WS2 on sapphire substrate 性质 形态：薄膜 参数 基底：蓝宝石 WS2片径：20-50 μm 厚度：0.6～0.8 nm 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硫化钨，相比较锂插层制备的单层二硫化钨，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。 其他信息 订购请发邮件至：sale@xfnano.com
咨询热线
18133906270
德尔塔官方微信