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CVD氧化铝基底单层二硫化钨
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD氧化铝基底单层二硫化钨 英文名称：Single Layer WS2 on Al2O3 性质 形态：薄膜 参数 基底：氧化铝 片径范围：20-50 μm 厚度：0.6～0.8 nm 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硫化钨，相比较锂插层制备的单层二硫化钨，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
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CVD二氧化硅/硅基底单层二硒化钼
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钼 英文名称：Single Layer MoSe2 on SiO2/Si 性质 形态：薄膜 参数 基底尺寸：9 mmx9 mm 氧化层：300nm MoSe2片径范围：20-50 μm 厚度：0.6-0.8 nm 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硒化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
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CVD蓝宝石基底单层二硒化钼
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD蓝宝石基底单层二硒化钼 英文名称：Single Layer MoSe2 on sapphire substrate 性质 形态：薄膜 参数 基底尺寸：9 mmx9 mm MoSe2片径范围：20-50 μm 厚度：0.6-0.8 nm 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硒化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
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CVD氧化铝基底单层二硒化钼
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD氧化铝基底单层二硒化钼 英文名称：Single Layer MoSe2 on Al2O3 性质 形态：薄膜 参数 基底尺寸：9 mmx9 mm MoSe2片径范围：20-50 μm 厚度：0.6-0.8 nm 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硒化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
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CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硒化钨 英文名称：Single Layer WSe2 on SiO2/Si 性质 形态：薄膜 参数 基底尺寸：9 mmx9 mm WSe2片径范围：20-50 μm 氧化层：300nm 厚度：0.6-0.8 nm 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硒化钨，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
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CVD蓝宝石基底单层二硒化钨
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD蓝宝石基底单层二硒化钨 英文名称：Single Layer WSe2 on sapphire substrate 性质 形态：薄膜 参数 基底尺寸：9 mmx9 mm WSe2片径范围：20-50 μm 厚度：0.6-0.8 nm 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硒化钨，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
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CVD氧化铝基底单层二硒化钨
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD氧化铝基底单层二硒化钨 英文名称：Single Layer WSe2 on Al2O3 性质 形态：薄膜 参数 基底尺寸：9 mmx9 mm WSe2片径范围：20-50 μm 厚度：0.6-0.8 nm 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硒化钨，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
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CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼连续薄膜
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼连续薄膜 英文名称：monolayer continuous film of MoS2 on SiO2/Si CVD 性质 形态：薄膜 参数 MoS2薄膜尺寸：约8 mm*8 mm 厚度：0.6～0.8 nm 基底：SiO2/Si 氧化层：300nm 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硫化钼连续薄膜，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
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CVD蓝宝石基底单层二硫化钼连续薄膜
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD蓝宝石基底单层二硫化钼连续薄膜 英文名称：monolayer continuous film of MoS2 on sapphire substrate 性质 形态：薄膜 参数 MoS2薄膜尺寸：8 mm*8 mm 厚度：0.6～0.8 nm 基底：蓝宝石 应用本公司最新推出CVD法制备的单层二硫化钼连续薄膜，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。
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Graphene Supermarket CVD镍基石墨烯薄膜
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：Graphene Supermarket CVD镍基石墨烯薄膜 英文名称：CVD Graphene Film on Nickel 性质 面积：5cmx5cm 应用 Graphene electronics Conductive coatings Aerospace industry Support for metalic catalysts Microactuators MEMS and NEMS Chemical and bio sensors Multifunctional Materials Based on Graphene Graphene Research 其他信息 原链接：https://www.graphene-supermarket.com/products/multilayer-graphene-on-nickel-foil-2x2?_pos=1&_sid=3425c2260&_ss=r
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CVD石墨烯专用铜箔
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD石墨烯专用铜箔 英文名称：Copper foil 性质 形态：膜 参数 规格: 20x30cm 厚度: ~25μm 纯度: > 99.9wt% 应用 NA
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CVD氧化铝基单层二硫化钨
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称:CVD氧化铝基单层二硫化钨 英文名称：CVD Monolayer WS2 on Alumina 性质 形态：薄膜 参数 WS2厚度：大部分为单层 基底: 氧化铝 基底尺寸: 0.5cmx0.5cm 应用 光电探测器 锂离子电池的阳极材料 电化学装置
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CVD氧化铝基单层二硒化钨
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称: CVD氧化铝基单层二硒化钨 英文名称：CVD Monolayer WSe2 on Alumina 性质 形态：薄膜 参数 WSe2 厚度：大部分为单层 基底尺寸: 0.5 cmx0.5 cm 基底: 氧化铝 应用 光电探测器 锂离子电池的阳极材料 电化学装置
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ACS Material CVD石英基底石墨烯膜(石英基底1mm厚方形)
作者：德尔塔 日期：2022-08-30
中文名称：ACS Material CVD石英基底石墨烯膜(石英基底1mm厚方形) 英文名称：CVD Graphene on Quartz 性质 膜面积：1cmx1cm 层数：单层、双层、3-5层、6-8层 基底尺寸：默认1.5cm*1.5cm，厚度约1mm 备注：氧化硅基底上测试拉曼 应用 NA
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