| 货号 |
产品名称 |
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| Q-0065694 |
金刚石纳米片和金刚石纳米线材料 |
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| Q-0065693 |
KCdCl3纳米线 |
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| Q-0065692 |
氧化硅纳米线 |
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| Q-0065691 |
金刚石纳米线 |
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| Q-0065689 |
砷化镓纳米线 |
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| Q-0065688 |
氮化硅α-Si3N4纳米线 |
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| Q-0065687 |
TiO2纳米线 |
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| Q-0065686 |
SiO2纳米线 |
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| Q-0065685 |
碳化硅纳米线 |
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| Q-0065684 |
单晶氯化锑Sb2S3纳米线 |
详细信息 |
| Q-0065683 |
三氧化钼纳米线MoO3 |
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| Q-0065682 |
CdS纳米带 |
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| Q-0065681 |
ZnO纳米线|ZnS纳米线 |
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| Q-0065680 |
SnO2纳米线 |
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| Q-0065679 |
InP纳米线 |
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| Q-0065678 |
GaSb纳米线 |
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| Q-0065677 |
GaAs纳米线 |
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| Q-0065676 |
CdTe纳米线 |
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| Q-0065675 |
CdS-CdSe纳米线 |
详细信息 |
| Q-0065674 |
ZnSe纳米线|ZnTe纳米线 |
详细信息 |
| Q-0065673 |
InAS纳米线 |
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| Q-0065672 |
CdSe纳米线 |
详细信息 |
| Q-0065671 |
BiSe拓扑绝缘体纳米线 |
详细信息 |
| Q-0065670 |
金属硫化物(VS4, CoS2, Sb2S3)纳米线的修饰 |
详细信息 |
| Q-0065669 |
A2S3(A=Sb,Bi)亚微米/纳米线定制 |
详细信息 |
| Q-0065668 |
贵金属修饰MoO3纳米线纸 |
详细信息 |
| Q-0065667 |
Rh-V修饰氧化铈纳米线 |
详细信息 |
| Q-0065666 |
ZnO@ZnSe/CdS/CdSe纳米线阵列 |
详细信息 |
| Q-0065665 |
直径约为100 nm的CdTe纳米线/纳米管薄膜 |
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| Q-0065664 |
InP(001)基衬底上自组织生长InAS量子卢 |
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| Q-0065663 |
基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线 |
详细信息 |
| Q-0065662 |
InP-InAsP纳米线 |
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| Q-0065661 |
Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线 |
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| Q-0065660 |
InP/InGaAs核壳结构纳米线 |
详细信息 |
| Q-0065659 |
Si/Si O2衬底上生长出了In P纳米线 |
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| Q-0065658 |
Si(100),(111)衬底上成功生长了InP纳米线 |
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| Q-0065657 |
Si衬底上InP纳米线 |
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| Q-0065656 |
InP-InAsP纳米线 |
详细信息 |
| Q-0065655 |
非晶硅氧化物纳米线的修饰 |
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| Q-0065654 |
基于GaAs纳米线侧壁InAs量子点 |
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| Q-0065653 |
As/GaAs纳米线异质结构材料 |
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| Q-0065652 |
特定形貌和晶体结构的InAs纳米线 |
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| Q-0065651 |
硅衬底上生长InAs/GaSb核壳异质结纳米线 |
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| Q-0065650 |
InAs纳米线表面生长覆盖InP包层 |
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| Q-0065649 |
InAs/GaAs横向异质结构纳米线 |
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